晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):3A
功率:500mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):350mV
特征频率:300MHz
工作温度:-55℃~150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-50V
集电极电流(Ic):-1A
功率:500mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-400mV
特征频率:400MHz
工作温度:-55℃~150℃
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):1A
功率:500mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):350mV
特征频率:360MHz
工作温度:-55℃~150℃







