晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):5.3V
集电极电流(Ic):100mA
功率:800mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@30mA,5V
特征频率:12.5GHz
工作温度:150℃
集射极击穿电压(Vceo):12V
集电极电流(Ic):80mA
功率:1.8W
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,5V
特征频率:7GHz
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