晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV

输入电阻：10kΩ

工作温度：-55℃~+150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV

输入电阻：2.2kΩ

工作温度：-55℃~+150℃

晶体管类型：NPN/PNP

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：187mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV

输入电阻：10kΩ

工作温度：-55℃~+150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV

输入电阻：47kΩ

工作温度：-55℃~+150℃

晶体管类型：NPN

批次：2140

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV

输入电阻：4.7kΩ

工作温度：-55℃~+150℃

晶体管类型：NPN

批次：2218

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV

输入电阻：2.2kΩ

工作温度：-55℃~+150℃

晶体管类型：NPN

批次：2211

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：150mV

输入电阻：4.7KΩ

特征频率：250MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN-预偏压

批次：2403

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@500µA，10mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：70@5mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：170MHz

晶体管类型：NPN-预偏压

批次：2132

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：70mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@500µA，10mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：50@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

特征频率：150MHz

晶体管类型：PNP-预偏压

批次：2327

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：500mA

功率：330mW

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@2.5mA，50mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：60@50mA，5V

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：150MHz

批次：24+

批次：2241