批次:2450
集射极击穿电压(Vceo):25V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:0.3W
直流增益(hFE@Ic,Vce):200
特征频率:100MHz
批次:2418
集射极击穿电压(Vceo):25V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:0.625W
直流增益(hFE@Ic,Vce):200
特征频率:100MHz
晶体管类型:1PNP + 1NPN
批次:25+
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):0.1A
功率:0.15W
晶体管类型:NPN
批次:25+
晶体管类型:PNP
批次:25+
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-45V
集电极电流(Ic):-100mA
功率:380mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-650mV
特征频率:100MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):5.2A
特征频率:130MHz
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-150V
集电极电流(Ic):-500mA
功率:225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-500mV
特征频率:300MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):45V
集电极电流(Ic):500mA
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):700mV
特征频率:100MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-40V
集电极电流(Ic):-200mA
功率:225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-400mV
特征频率:250MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-150V
集电极电流(Ic):-500mA
功率:225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-500mV
特征频率:300MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-300V
集电极电流(Ic):-500mA
功率:225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-500mV
特征频率:50MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-25V
集电极电流(Ic):-800mA
功率:225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-500mV
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-45V
集电极电流(Ic):-500mA
功率:150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-700mV
特征频率:100MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):-60V
集电极电流(Ic):-600mA
功率:225mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):-1.6V
特征频率:200MHz
工作温度:-55℃~+150℃
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):45V
集电极电流(Ic):0.1A
功率:0.15W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):0.6V
特征频率:100MHz
工作温度:-55℃~150℃