驱动配置：低端

批次：2232

驱动通道数：1

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4V~12.6V

峰值灌电流：1.3A

峰值拉电流：7.6A

上升时间：82ns

下降时间：12.5ns

工作温度：-40℃~125℃

驱动配置：低端

批次：2228

驱动通道数：1

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4V~12.6V

峰值灌电流：1.3A

峰值拉电流：7.6A

上升时间：82ns

下降时间：12.5ns

工作温度：-40℃~125℃

驱动配置：半桥

驱动通道数：1

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2.5A

峰值拉电流：2.5A

上升时间：15ns

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

驱动配置：高端

驱动通道数：1

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：2.7V~9V

工作温度：-40℃~85℃

驱动配置：半桥

批次：2334

驱动通道数：2

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

峰值拉电流：4A

上升时间：22ns

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

驱动配置：半桥

批次：2215

负载类型：电感，电容性

电源电压：10V ~ 20V

峰值灌电流：80A

上升时间：UVLO

下降时间：功率 MOSFET

特性：自举电路

工作温度：150℃（TJ）

驱动配置：低端

驱动通道数：2

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

是否隔离：隔离

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

峰值拉电流：3A

上升时间：23ns

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

驱动配置：低端

驱动通道数：1

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

是否隔离：隔离

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

峰值拉电流：6A

上升时间：25ns

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

驱动配置：三相

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

批次：25+

批次：25+

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

批次：25+

电源电压：300V

峰值灌电流：2A

峰值拉电流：2A

批次：25+