CPU内核:ARM® Cortex®-M23
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:19
外设:电容式触摸,DMA,LVD,POR,PWM,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:8K x 8
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 5x16b,2x24b SAR,三角积分; D/A 1x8b,2x12b
振荡器:内部
供电电压:1.6V~5.5V
工作温度:-40℃~105℃
CPU内核:CORTEX-M23
CPU最大主频率:20MHz
I/O数:40
供电电压:3.3V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:22+
CPU内核:-
CPU最大主频率:40MHz
I/O数:23
供电电压:2.7V~5.5V
工作温度:-40℃~+105℃
批次:16+
CPU内核:CORTEX-M23
CPU最大主频率:20MHz
I/O数:40
供电电压:3.3V~5.5V
工作温度:-40℃~105℃
批次:24+
CPU内核:ARM® Cortex®-M23
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:19
外设:电容式触摸,DMA,LVD,POR,PWM,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:8K x 8
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 5x16b,2x24b SAR,三角积分; D/A 1x8b,2x12b
振荡器:内部
供电电压:1.6V~5.5V
工作温度:-40℃~105℃
CPU内核:ARM® Cortex®-M23
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:19
外设:电容式触摸,DMA,LVD,POR,PWM,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:8K x 8
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 5x16b,2x24b SAR,三角积分; D/A 1x8b,2x12b
振荡器:内部
供电电压:1.6V~5.5V
工作温度:-40℃~105℃
CPU内核:CORTEX-M23
CPU最大主频率:20MHz
I/O数:40
供电电压:3.3V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:38
外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:-
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 14x12b; D/A 1x10b
振荡器:内部
供电电压:1.62V~3.6V
工作温度:-40℃~85℃
批次:22+
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:38
外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:-
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 14x12b; D/A 1x10b
振荡器:内部
供电电压:1.62V~3.6V
工作温度:-40℃~85℃
批次:23+
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32-位
CPU最大主频率:32MHz
I/O数:37
外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
程序存储容量:64KB(64K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:2K x 8
RAM容量:8K x 8
数据转化器:A/D 10x12b; D/A 1x12b
振荡器:内部
供电电压:1.7V~3.6V
工作温度:-40℃~85℃
批次:25+
CPU内核:AVR
内核数/总线宽度:8/16-位
CPU最大主频率:32MHz
I/O数:34
外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT
程序存储容量:32KB(16K x 16)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:1K x 8
RAM容量:4K x 8
数据转化器:A/D 12x12b; D/A 2x12b
振荡器:内部
供电电压:1.6V~3.6V
工作温度:-40℃~85℃
批次:两年内
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:26
外设:欠压检测/复位,POR,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:-
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 10x12b;D/A 1x10b
振荡器:内部
供电电压:1.62V~3.6V
工作温度:-40℃~85℃
批次:23+
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:18
外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT
程序存储容量:8KB(8K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:-
RAM容量:4K x 8
数据转化器:A/D 8x12b; D/A 1x10b
振荡器:内部
供电电压:1.62V~3.63V
工作温度:-40℃~85℃
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:38
外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:-
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 14x12b,2x16b; D/A 1x10b
振荡器:内部
供电电压:2.7V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:23+
CPU内核:ARM® Cortex®-M0+
内核数/总线宽度:32 位单核
CPU最大主频率:48MHz
I/O数:38
外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:-
RAM容量:32K x 8
数据转化器:A/D 14x12b; D/A 1x10b
振荡器:内部
供电电压:1.62V~3.6V
工作温度:-40℃~85℃
批次:22+
CPU内核:AVR
内核数/总线宽度:8 位
CPU最大主频率:16MHz
I/O数:53
外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
程序存储容量:64KB(32K x 16)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:2K x 8
RAM容量:4K x 8
数据转化器:A/D 8x10b
振荡器:内部
供电电压:2.7V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:两年内
CPU内核:AVRRISC
CPU最大主频率:20MHz
I/O数:12
供电电压:4.5V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:两年内
CPU内核:AVR
内核数/总线宽度:8 位
CPU最大主频率:16MHz
I/O数:32
外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
程序存储容量:32KB(16K x 16)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:1K x 8
RAM容量:2K x 8
数据转化器:A/D 8x10b
振荡器:内部
供电电压:2.7V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:26+
CPU内核:AVR
内核数/总线宽度:8 位
CPU最大主频率:16MHz
I/O数:53
外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
程序存储容量:128KB(64K x 16)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:4K x 8
RAM容量:4K x 8
数据转化器:A/D 8x10b
振荡器:内部
供电电压:2.7V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:26+
CPU内核:AVR
内核数/总线宽度:8 位
CPU最大主频率:20MHz
I/O数:12
外设:欠压检测/复位,POR,PWM,温度传感器,WDT
程序存储容量:4KB(2K x 16)
程序存储器类型:闪存
EEPROM容量:256 x 8
RAM容量:256 x 8
数据转化器:A/D 8x10b
振荡器:内部
供电电压:1.8V~5.5V
工作温度:-40℃~85℃
批次:25+