晶体管类型：PNP
集射极击穿电压（Vceo）：50V
集电极电流（Ic）：150mA
功率：200mW
集电集截止电流（Icbo）：100nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：180mV@100mA,10mA
特征频率：50MHz
批次：24+
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压（Vceo）：60V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：250mW
集电集截止电流（Icbo）：20nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.6V@500mA,50mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：200MHz
批次：24+
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：250mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1V@500mA,50mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：300MHz
批次：两年内
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压（Vceo）：60V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：300mW
集电集截止电流（Icbo）：50nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.6V@500mA,50mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：200MHz
工作温度：-55℃~+150℃
批次：两年内
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：1W
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：300mV@150mA,15mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：300MHz
批次：两年内
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：45V
集电极电流（Ic）：100mA
功率：300mW
集电集截止电流（Icbo）：15nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：600mV@100mA,5mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：110@2mA,5V
特征频率：300MHz
批次：两年内
集射极击穿电压（Vceo）：45V
集电极电流（Ic）：0.1A
功率：0.2W
直流增益（hFE@Ic，Vce）：110
特征频率：150MHz
批次：24+
晶体管类型：8 NPN 达林顿
集电极电流（Ic）：500mA
集电集截止电流（Icbo）：20µA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.6V @ 500µA，350mA
工作温度：-40℃ ~ 150℃（TJ）
批次：2513
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：225mW
集电集截止电流（Icbo）：100nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1V@500mA,50mA
特征频率：300MHz
工作温度：-55℃~+150℃
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：300mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1V@500mA,50mA
特征频率：300MHz
批次：两年内
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：350mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1V@500mA,50mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：40@500mA,10V
特征频率：300MHz
批次：两年内
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压（Vceo）：65V
集电极电流（Ic）：100mA
功率：200mW
集电集截止电流（Icbo）：100nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：500mV@100mA,5mA
特征频率：100MHz
批次：两年内
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：300mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：300mV@150mA,15mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,1V
特征频率：300MHz
批次：25+
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：65V
集电极电流（Ic）：100mA
功率：200mW
集电集截止电流（Icbo）：100nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：500mV@100mA,5mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：110@2mA,5V
特征频率：100MHz
批次：24+
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：250mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1V@500mA,50mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：300MHz
批次：24+
晶体管类型：8 NPN 达林顿
集电极电流（Ic）：500mA
集电集截止电流（Icbo）：20µA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.6V @ 500µA，350mA
工作温度：-40℃ ~ 150℃（TJ）
批次：25+
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：300mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1V@500mA,50mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：300MHz
工作温度：-55℃~+150℃
批次：25+
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压（Vceo）：40V
集电极电流（Ic）：600mA
功率：300mW
集电集截止电流（Icbo）：10nA
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：300mV@150mA,15mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@150mA,10V
特征频率：300MHz
批次：24+
晶体管类型：8 NPN 达林顿
集射极击穿电压（Vceo）：50V
集电极电流（Ic）：500mA
功率：2.25W
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.6V @ 500µA，350mA
直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000 @ 350mA，2V
工作温度：-20℃ ~ 150℃（TJ）
批次：24+
苏公网安备32059002003754号 
