晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):65V
集电极电流(Ic):100mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):500mV@100mA,5mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V
特征频率:100MHz
批次:24+
encap:SOT-23
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):65V
集电极电流(Ic):100mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):500mV@100mA,5mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V
特征频率:100MHz
批次:24+
encap:SOT-23