晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):150mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):180mV@100mA,10mA
特征频率:50MHz
批次:24+
encap:SOT-23
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):150mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):180mV@100mA,10mA
特征频率:50MHz
批次:24+
encap:SOT-23