晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):200mV@500mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,10V
特征频率:200MHz
encap:TO-92L-3
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):200mV@500mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,10V
特征频率:200MHz
encap:TO-92L-3





