驱动配置:高压侧或低压侧
驱动通道数:1
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
峰值拉电流:1.5A
上升时间:25ns
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
encap:SOIC-8
驱动配置:高压侧或低压侧
驱动通道数:1
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
峰值拉电流:1.5A
上升时间:25ns
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
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