晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):100mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):15nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):650mV@5mA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V
特征频率:250MHz
工作温度:150℃
批次:2105
encap:SOT-23
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):100mA
功率:330mW
集电集截止电流(Icbo):15nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):650mV@5mA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V
特征频率:250MHz
工作温度:150℃
批次:2105
encap:SOT-23





