晶体管类型:8 NPN 达林顿
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):500mA
功率:2.25W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V @ 500µA,350mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000 @ 350mA,2V
工作温度:-20℃ ~ 150℃(TJ)
批次:24+
encap:DIP-18
晶体管类型:8 NPN 达林顿
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):500mA
功率:2.25W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V @ 500µA,350mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000 @ 350mA,2V
工作温度:-20℃ ~ 150℃(TJ)
批次:24+
encap:DIP-18