晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):1μA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):300mV@2A,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V
特征频率:200MHz
批次:25+
encap:TO-263
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):1μA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):300mV@2A,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V
特征频率:200MHz
批次:25+
encap:TO-263