晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:10W
集电集截止电流(Icbo):1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):320mV@100mA,2A
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
批次:25+
encap:TO-252
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):5A
功率:10W
集电集截止电流(Icbo):1µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):320mV@100mA,2A
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
批次:25+
encap:TO-252