晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):600mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):300mV@150mA,15mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征频率:300MHz
批次:两年内
encap:SOT-223-3
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):600mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):300mV@150mA,15mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征频率:300MHz
批次:两年内
encap:SOT-223-3