晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.25W
集电集截止电流(Icbo):200nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,5V
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
批次:两年内
encap:SOT-223-4
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):1.5A
功率:1.25W
集电集截止电流(Icbo):200nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,5V
特征频率:200MHz
工作温度:55℃~150℃
批次:两年内
encap:SOT-223-4