晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
批次:22+
encap:SOT-323
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
特征频率:125MHz
工作温度:55℃~150℃
批次:22+
encap:SOT-323