晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
工作温度:150℃
批次:25+
encap:SOT-32
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
工作温度:150℃
批次:25+
encap:SOT-32