晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
批次:25+
encap:SOT-23
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
批次:25+
encap:SOT-23