晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):20µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
特征频率:25MHz
工作温度:150℃
批次:24+
encap:DPAK
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):20µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,4A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@2A,3V
特征频率:25MHz
工作温度:150℃
批次:24+
encap:DPAK