晶体管类型:PNP-达林顿
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):5A
集电集截止电流(Icbo):500µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
工作温度:150℃
批次:24+
encap:TO-220
晶体管类型:PNP-达林顿
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):5A
集电集截止电流(Icbo):500µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@20mA,5A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@3A,3V
工作温度:150℃
批次:24+
encap:TO-220