晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):600mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@500mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征频率:200MHz
工作温度:-55℃~+150℃
批次:两年内
encap:SOT-23(TO-236)
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):600mA
功率:300mW
集电集截止电流(Icbo):50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.6V@500mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征频率:200MHz
工作温度:-55℃~+150℃
批次:两年内
encap:SOT-23(TO-236)