晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):600mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):10nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@500mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征频率:300MHz
批次:两年内
encap:SOT-23
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):600mA
功率:250mW
集电集截止电流(Icbo):10nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@500mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征频率:300MHz
批次:两年内
encap:SOT-23