晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
工作温度:150℃
批次:25+
encap:TO-252-2(DPAK)
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
工作温度:150℃
批次:25+
encap:TO-252-2(DPAK)