晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):5A
功率:2.4W
集电集截止电流(Icbo):50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):260mV@500mA,5A
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,2V
特征频率:190MHz
工作温度:-55℃~150℃
批次:两年内
encap:SOT-89-3
晶体管类型:NPN
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):5A
功率:2.4W
集电集截止电流(Icbo):50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):260mV@500mA,5A
直流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,2V
特征频率:190MHz
工作温度:-55℃~150℃
批次:两年内
encap:SOT-89-3