晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：800mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV@2mA，50mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：60@100mA，1V

特征频率：300MHz

输入电阻：1kΩ

晶体管类型：PNP-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：800mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：250mV@2mA，50mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：60@100mA，1V

特征频率：200MHz

输入电阻：1kΩ

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：500mA

功率：200mW

最小输入电压（VI(on）)：2V@5mA,300mV

最大输入电压（VI(off）)：500mV@100μA,5V

直流增益（hFE@Ic，Vce）：56@50mA,5V

输出电压（VO(on）)：300mV@10mA,500μA

输入电阻：2.2kΩ

电阻比：4.5

晶体管类型：1个PNP-预偏置

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：150mW

最小输入电压（VI(on）)：3V@2mA,0.3V

最大输入电压（VI(off）)：500mV@100μA,5V

直流增益（hFE@Ic，Vce）：68@5mA,5V

输出电压（VO(on）)：300mV@10mA,0.5mA

输入电阻：47kΩ

电阻比：1

晶体管类型：1个NPN-预偏置

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

最小输入电压（VI(on）)：2.5V@2mA,0.3V

最大输入电压（VI(off）)：300mV@100μA,5V

直流增益（hFE@Ic，Vce）：68@5mA,5V

输出电压（VO(on）)：300mV@10mA,0.5mA

输入电阻：47kΩ

电阻比：1