晶体管类型:PNP-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):800mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@2mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@100mA,1V
输入电阻:1kΩ
特征频率:200MHz
encap:TO-236-3(SOT-23-3)
晶体管类型:PNP-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):800mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@2mA,50mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@100mA,1V
输入电阻:1kΩ
特征频率:200MHz
encap:TO-236-3(SOT-23-3)





