晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
输入电阻:4.7kΩ
特征频率:250MHz
批次:25+
encap:SOT-23
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@250µA,5mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
输入电阻:4.7kΩ
特征频率:250MHz
批次:25+
encap:SOT-23