晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：25V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.5W

集电集截止电流（Icbo）：10nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：330mV@50mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：300@1A，2V

特征频率：180MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：23+

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：1.2W

集电集截止电流（Icbo）：20nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：210mV@300mA，6A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@2A，1V

特征频率：130MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：80V

集电极电流（Ic）：5A

功率：40W

集电集截止电流（Icbo）：1μA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：300mV@2A,100mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：120@500mA,3V

特征频率：200MHz

晶体管类型：PNP

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：80V

集电极电流（Ic）：5A

功率：10W

集电集截止电流（Icbo）：1µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：320mV@100mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：120@500mA，3V

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：23+

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.4W

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：305mV

特征频率：185MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：PNP

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：15V

集电极电流（Ic）：5A

功率：1.25W

集电集截止电流（Icbo）：20nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：190mV@240mA，6A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：200@500mA，2V

特征频率：270MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.1W

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：230mV

特征频率：130MHz

工作温度：-55℃~150℃

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：100

晶体管类型：PNP

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：15W

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：600mV@200mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：200@100mA，2V

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：5A

功率：1W

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：220mV@32mA，1.6A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：400@500mA，2V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：23+

集射极击穿电压（Vceo）：75V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.1W

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：460mV

特征频率：140MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：10V

集电极电流（Ic）：5A

功率：3W

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：350mV

特征频率：150MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：40V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.5W

集电集截止电流（Icbo）：10nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：340mV@100mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：270@1A，2V

特征频率：155MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：1.6W

集电集截止电流（Icbo）：50nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：500mV@200mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：150@2A，1V

特征频率：130MHz

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：23+

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：5A

功率：1.2W

集电集截止电流（Icbo）：20nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：170mV@250mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：200@500mA，2V

特征频率：125MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：150V

集电极电流（Ic）：5A

功率：3W

集电集截止电流（Icbo）：50nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：355mV@500mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@1A，5V

特征频率：90MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：PNP

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：5A

功率：1.2W

集电集截止电流（Icbo）：20nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：200mV@500mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：200@500mA，2V

特征频率：190MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：23+

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.1W

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：230mV

特征频率：130MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：40V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2.4W

集电集截止电流（Icbo）：50nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：260mV@500mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：300@10mA，2V

特征频率：190MHz

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：PNP

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：3W