晶体管类型：1个NPN-预偏置+二极管

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：246mW

直流增益（hFE@Ic，Vce）：80@10mA,5V

批次：25+

晶体管类型：1个NPN-预偏置

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

最小输入电压（VI(on）)：3V@10mA,0.3V

直流增益（hFE@Ic，Vce）：30@5mA,5V

最大输入电压（VI(off）)：500mV@100μA,5V

输出电压（VO(on）)：300mV@10mA,0.5mA

批次：24+

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：2024/11

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：两年内

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：26+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：25+

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：25+

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：两年内

晶体管类型：1个NPN-预偏置

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

最小输入电压（VI(on）)：3V@10mA,0.3V

直流增益（hFE@Ic，Vce）：33@5mA,5V

最大输入电压（VI(off）)：300mV@100μA,5V

输出电压（VO(on）)：300mV@10mA,0.5mA

输入电阻：1kΩ

电阻比：10

批次：两年内

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

批次：25+

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

批次：25+

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：310mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@500µA，10mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：30@5mA，5V

输入电阻：10kΩ

特征频率：250MHz

批次：25+

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@250µA，5mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：80@10mA，5V

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：250MHz

批次：25+

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@500µA，10mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：33@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

特征频率：250MHz

批次：两年外

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@500µA，10mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：56@5mA，5V

输入电阻：47kΩ

特征频率：250MHz

批次：23+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

输入电阻：4.7kΩ

特征频率：250MHz

工作温度：-55℃~150℃

批次：23+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：30mA

功率：200mW

输入电阻：22kΩ

特征频率：250MHz

工作温度：-55℃~150℃

批次：两年内

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat））：300mV@250µA，2.5mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：100@1mA，5V

输入电阻：47kΩ

特征频率：250MHz

批次：23+

晶体管类型：-

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

直流增益（hFE@Ic，Vce）：68@5mA,5V

批次：22+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：100mA

功率：200mW

输入电阻：2.2kΩ

特征频率：250MHz

工作温度：-55℃~150℃

批次：24+