集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：500mA

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：50V

集电极电流（Ic）：500mA

批次：25+

工作温度：-40℃~85℃

批次：两年内

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：4A

功率：40W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2.8V@40mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@2A，3V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：8A

功率：20W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@80mA，8A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@4A，4V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA,5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A,3V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：10A

功率：70W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2.5V@6mA，3A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@3A，3V

工作温度：150℃

批次：24+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：8A

功率：2W

集电集截止电流（Icbo）：50µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2.5V@80mA，8A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A，4V

工作温度：150℃

批次：2433

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：350V

集电极电流（Ic）：4A

功率：100W

集电集截止电流（Icbo）：100µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2V@20mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1800@2A，2V

工作温度：150℃

批次：22+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：8A

功率：20W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@80mA，8A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@4A，4V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：8A

功率：60W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2V@12mA，3A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@3A，3V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：4A

功率：40W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2.5V@30mA，1.5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@1.5A，3V

工作温度：55℃~150℃

批次：24+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：2A

功率：20W

集电集截止电流（Icbo）：20µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@40mA，4A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@2A，3V

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

批次：24+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：120V

集电极电流（Ic）：1A

功率：1.5W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2V@2mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：3000@1A，5V

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

批次：25+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：8A

功率：60W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2V@12mA，3A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@3A，3V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：4A

功率：40W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2.5V@30mA，1.5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@1.5A，3V

工作温度：150℃

批次：25+

晶体管类型：PNP

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：8A

功率：1.75W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@80mA，8A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@4A，4V

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

批次：两年内

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：120V

集电极电流（Ic）：1A

功率：1.5W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.5V@5mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：3000@1A，5V

特征频率：120MHz

工作温度：55℃~150℃

批次：两年内

晶体管类型：PNP-达林顿

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA,5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A,3V

工作温度：150℃

批次：24+

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：2A

功率：20W

集电集截止电流（Icbo）：20µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@40mA，4A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@2A，3V

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

批次：25+