电源电压：4.5V~18V

驱动配置：低端

上升时间：25ns

峰值灌电流：6A

下降时间：25ns

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

工作温度：0℃~150℃

驱动通道数：1

批次：25+

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：低端

上升时间：25ns

峰值灌电流：6A

下降时间：25ns

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

工作温度：0℃~150℃

驱动通道数：1

是否隔离：隔离

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：低端

上升时间：20ns

峰值灌电流：12A

下降时间：24ns

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

工作温度：0℃~70℃

驱动通道数：1

批次：25+

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：低端

上升时间：25ns

峰值灌电流：6A

下降时间：25ns

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

工作温度：0℃~150℃

驱动通道数：1

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：低端

上升时间：25ns

峰值灌电流：6A

下降时间：25ns

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

工作温度：0℃~150℃

驱动通道数：1

电源电压：4.5V~30V

驱动配置：高压侧或低压侧

上升时间：25ns

峰值灌电流：1.5A

下降时间：33ns

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

工作温度：0℃~150℃

驱动通道数：1

电源电压：25V

峰值灌电流：4A

峰值拉电流：4A

驱动通道数：1

批次：25+

电源电压：4.5V~25V

驱动配置：低边

峰值灌电流：4A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：4A

批次：25+

电源电压：5V~25V

驱动配置：低边

峰值灌电流：4A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：4A

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

驱动配置：三相

批次：25+

电源电压：8V~20V

驱动配置：高低侧

峰值灌电流：1.5A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：1.8A

批次：25+

电源电压：8V~20V

驱动配置：高低侧

峰值灌电流：1.5A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：1.8A

批次：25+

电源电压：6V~20V

驱动配置：半桥

峰值灌电流：4A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：4A

工作温度：-40℃~+125℃

批次：25+

电源电压：4.5V~25V

驱动配置：低边

峰值灌电流：4A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：4A

批次：26+

电源电压：10V~20V

驱动配置：半桥

峰值灌电流：4A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：4A

批次：25+

电源电压：6V~20V

驱动配置：半桥

峰值灌电流：1.5A

负载类型：MOSFET；IGBT

峰值拉电流：1.2A

批次：25+

电源电压：8V~20V

驱动配置：高低侧

峰值灌电流：1.5A

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：1.8A

批次：25+

电源电压：4.5V~25V

驱动配置：低边

峰值灌电流：2A

特性：-

负载类型：MOSFET；IGBT

峰值拉电流：2A

工作温度：-40℃~+125℃

驱动通道数：-

批次：25+

是否隔离：-

电源电压：5V~25V

驱动配置：低边

峰值灌电流：4A

传播延迟tpLH：13ns

负载类型：MOSFET；IGBT

峰值拉电流：4A

工作温度：-40℃~125℃

驱动通道数：1

批次：25+