晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA,5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A,3V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：80V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A，3V

工作温度：150℃

晶体管类型：PNP-达林顿

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA,5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A,3V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：65W

晶体管类型：PNP

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：65W

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：65W

晶体管类型：NPN

批次：22+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：65W

集电集截止电流（Icbo）：200μA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@5A,20mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3V,3A

工作温度：-65℃~+150℃

晶体管类型：NPN

批次：2413

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA,5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A,3V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：24+

集射极击穿电压（Vceo）：60V

集电极电流（Ic）：5A

功率：2W

集电集截止电流（Icbo）：500µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：4V@20mA，5A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@3A，3V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：12A

功率：80W

集电集截止电流（Icbo）：1mA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@100mA，10A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@5A，3V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：2216

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：12A

功率：33W

集电集截止电流（Icbo）：1mA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@100mA，10A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@5A，3V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年外

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：10A

功率：125W

集电集截止电流（Icbo）：2mA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@40mA，10A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@5A，4V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：10A

功率：125W

集电集截止电流（Icbo）：2mA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@40mA，10A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@5A，4V

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：1.5A

功率：1.25W

集电集截止电流（Icbo）：200nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.5V@100µA，100mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：1000@1A，5V

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：两年内

集射极击穿电压（Vceo）：120V

集电极电流（Ic）：1A

功率：1.5W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.5V@5mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：3000@1A，5V

特征频率：120MHz

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

批次：22+

集射极击穿电压（Vceo）：30V

集电极电流（Ic）：500mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.5V@100µA，100mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：20000@100mA，5V

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：120V

集电极电流（Ic）：1A

功率：1.5W

集电集截止电流（Icbo）：10µA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：2V@2mA，2A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：3000@1A，5V

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：80V

集电极电流（Ic）：300mA

功率：200mW

集电集截止电流（Icbo）：500nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.5V@100µA，100mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：10000@100mA，5V

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

晶体管类型：NPN

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：30V

集电极电流（Ic）：300mA

功率：225mW

集电集截止电流（Icbo）：100nA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：1.5V@100µA，100mA

直流增益（hFE@Ic，Vce）：20000@100mA，5V

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

批次：25+

集射极击穿电压（Vceo）：100V

集电极电流（Ic）：12A

功率：80W

集电集截止电流（Icbo）：1mA

集电极-发射极饱和电压（VCE(sat）：3V@100mA，10A

直流增益（hFE@Ic，Vce）：750@5A，3V

工作温度：150℃